長鑫上半年營收暴增874%，中國記憶體廠商正以通用型DRAM獲利轉攻高階市場

這是一則首報事件。長鑫存儲（CXMT）8月28日公布2026年上半年業績：營收150.3億人民幣，較去年同期的15.4億人民幣成長874%，超過去年全年銷售額的兩倍，且由虧轉盈。背後邏輯很直接：三星和SK海力士把產能押在HBM和先進DRAM，通用型DRAM供給出現缺口，長鑫用舊製程產品賣出了幾倍以前的價格。

數字說話，但故事還沒到最驚人的地方。長鑫目前月產能30萬片晶圓，手上已有三座DRAM廠，計畫再加三座，2030年前產能翻倍至逾60萬片。分析師預測其DRAM市佔率將從去年8%升至2028年11%、2030年達15%——一旦中國廠商雙位數佔市，三星、SK海力士、美光的鐵三角格局就會鬆動。技術端，長鑫8月29日宣布次世代低功耗行動DRAM「LPDDR6」開始量產，三星與SK海力士的LPDDR6全面量產計畫反而排在今年稍後，這一點值得留意。在NAND端，長江存儲（YMTC）今年Q2以約14%市佔率首次超越日本鎧俠（Kioxia）躍居全球第三，且已明確說過要在明年底前超越三星（25%）與SK海力士（22%）——這意味著出貨量幾乎要在一年內翻一倍。YMTC計畫Q4在上交所IPO，募資330億人民幣用於擴產與下一代NAND研發。

問題在於，這波攻勢有沒有天花板？有，但不是現在。短期內，AI資料中心投資仍在消化中國廠商新增的供給，不構成立即的過剩壓力。真正的結構性護城河在HBM：不只需要先進DRAM製程，還得掌握TSV（矽穿孔）與先進封裝技術，這是高度積累型的工藝壁壘。更要緊的是，長鑫因美國制裁買不到EUV設備，只能用DUV替代，製程複雜度更高、良率更低、成本更貴——這道門現在還關著。

但門關著，不代表對手站著不動。中國廠商的策略是用通用型記憶體的暴利養活技術追趕，再用IPO募來的資金擴產。這條路踩得到哪裡，取決於兩件事：AI投資週期能撐多久、以及美國出口管制的漏洞還剩多少。若AI投資增速放緩，中國廠商新增的產能就會直接壓向市場價格，屆時三星和SK海力士在通用型記憶體的日子不會好過。對這兩家公司而言，現在每一顆HBM賣出去，都是在和時鐘賽跑。