中國記憶體龍頭 CXMT 第五代 DRAM 平台量產，宣稱製程逼近三星與 SK 海力士

CXMT 是首報，不是後續。中國最大 DRAM 製造商 CXMT 宣布，其第五代製程平台已正式進入量產，並同步推出兩款基於新平台的 24Gb LPDDR5X 晶片——這是中國記憶體產業在技術追趕上最具體的一次自我宣示。

數字是這次發布的核心。CXMT 副總裁羅曉東在 2026 世界製造業大會上公開表示，新平台儲存單元的關鍵線距已縮至 11.95 奈米（約 12 奈米），達成的手法是「四重圖案化」製程——透過多次重複曝光步驟，在不依賴極紫外光（EUV）光刻設備的情況下，把電路刻得更細。他的說法是：製程能力「已與業界最先進的量產節點齊平」。此外，新平台每片晶圓可生產的毛晶片數，比第四代平台多出至少 50%；新款 LPDDR5X 晶片的儲存密度，也比前代同規格產品提升 50%。如果數字屬實，這不只是產能提升，更是密度與成本效益的同步跳躍。

值得注意的是「如果屬實」這個前提。CXMT 的數字來自公司自我宣告，路透的報導並未附上第三方驗證，也未點名有哪家品牌客戶採用新平台量產晶片。LPDDR5X 目前是三星、SK 海力士在高階手機市場的主力產品，其現行量產節點已進入 10 奈米以下世代，12 奈米是否真的「齊平最先進」，業界對這個說法有多少認同，還需要觀察。這是一道重要的裂縫：製程節號上的數字接近，不等於在良率、功耗、速度規格上同步達標。

CXMT 能走到今天，有一個背景不能略過。美國自 2022 年起對中國實施先進半導體設備與軟體出口管制，EUV 是其中被卡得最死的一環。CXMT 的解法是與中國本土設備廠協同開發，以四重圖案化替代 EUV——用工序複雜度換設備依賴度。這條路的代價是製造成本更高、良率管控更難，但它至少證明：在特定技術路徑上，繞開管制不是不可能，只是更貴、更慢。對三星、SK 海力士、美光而言，CXMT 的真正威脅不是今天能不能在旗艦手機裡搶單，而是它作為「供應替代選項」的存在，給中國手機品牌一個不必仰賴美日韓供應鏈的籌碼。這個籌碼現在更具體了一些。