Micron 上調美國投資承諾至 2500 億美元，紐約晶圓廠提前動工
- Micron 執行長 Sanjay Mehrotra 於 7 月 9 日宣布，公司將在 2035 年前把美國投資承諾從 2000 億美元上調至 2500 億美元，全數用於擴充美國境內 DRAM 製造產能。
- 紐約州 Clay 晶圓廠第一次澆灌混凝土比原定計畫提前一季完成，廠址規劃興建四座晶圓廠，預計創造約五萬個就業機會。
- Micron 目標讓美國製造佔全球 DRAM 產出的 40%，愛達荷州第一座廠預計 2027 年中開始晶圓生產，第二座預計 2028 年底投產。
- 2500 億美元壓注美國本土 DRAM 產能，等於 Micron 正在把全球記憶體供應鏈的地理重心硬往美國拉——韓國廠商面對的競爭格局，十年後會很不一樣。
- CHIPS 法案補貼加上白宮政治背書讓這筆錢更容易燒下去，但計畫跨度長達十年，能否兌現最終還是得看 AI 記憶體需求夠不夠持久撐住這個量級的資本支出。
- 對亞太供應鏈業者而言，現在不是恐慌的時間點，Clay 廠滿載量產要等到 2030 年代中期，但要開始想的是：當美國自製 DRAM 產能真的到位，現有的客戶採購結構會怎麼變。
Micron 在記憶體版圖上押下比過去任何時候都大的籌碼。7 月 9 日，執行長 Sanjay Mehrotra 在紐約州 Clay 廠區第一次澆灌混凝土的典禮上宣布，公司將在 2035 年前把美國投資承諾上調至 2500 億美元——比六月才剛公布的 2000 億美元計畫再多 500 億，全數押注在美國境內擴充 DRAM 製造產能，另附加 30 億美元用於培育本土半導體供應鏈生態系。
這個數字背後有一條清晰的戰略線：Micron 的目標是讓美國製造佔其全球 DRAM 總產出的 40%。為此，公司同步在紐約州 Clay、愛達荷州 Boise 新建晶圓廠，並已在維吉尼亞州 Manassas 廠完成製程世代切換——從第一、二代 10 奈米級製程全面升級至第四代 1-alpha DRAM 製程，今年五月正式投產。Clay 廠的第一次澆灌比原定計畫提前一季，也就是說從今年一月動工到現在不過六個月，進度超前。紐約廠址規劃興建四座晶圓廠，預計創造約五萬個就業機會，是紐約州史上最大的私部門投資案。愛達荷第一座廠預計 2027 年中開始晶圓生產，第二座跟到 2028 年底。
對亞太地區的記憶體玩家來說，這件事要看的不是 Micron 蓋了多少廠，而是地緣政治如何正在重塑全球 DRAM 供應鏈的底層結構。Micron 用 2500 億美元告訴市場一件事：美國決心在境內自主掌握 DRAM 產能，不再讓記憶體供應高度集中在韓國與台灣。這個轉變對 Samsung、SK Hynix 的長期市佔壓力是真實的，但時間跨度拉到 2035 年，短期內衝擊有限。更值得警惕的是：等 Clay 廠四座廠全數投產，搭配 CHIPS 法案的稅收優惠與補貼，Micron 的美國產線在成本結構上可能比現在更有競爭力——這才是亞洲廠商要盯的時間點。
白宮首席技術官 Ethan Klein 出席典禮並背書，顯示川普政府把這筆投資定位為「確保美國半導體供應鏈領導地位」的政治成果之一。CHIPS 法案的財政誘因與政治背景仍是整套計畫的底氣。但 2500 億美元橫跨十年，計畫能否兌現，最終還是取決於 AI 驅動的記憶體需求能否持續支撐這個規模的資本支出——那才是真正的風險變數。
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